GOODRAM · NOD-GR2666S464L19S/8G

Memorie RAM Notebook Goodram GR2666S464L19S/8G, 8GB, DDR4, 2666MHz, CL19

Name: Memorie RAM Notebook Goodram GR2666S464L19S/8G, 8GB, DDR4, 2666MHz, CL19
Brand: GOODRAM
SKU: NOD-GR2666S464L19S/8G
Price: 690 RON
Availability: BackOrder

Memorie RAM Goodram, SODIMM, DDR4, 8GB, 2666MHz, CL19, 1.2V

570 lei

prețuri fără TVA · 690 lei cu TVA

La comandă·5–7 zile

Produs disponibil doar cu cont de firmă verificat. Creează cont B2B →

Cantitate

Preț de volum de la 5 buc. — cere ofertă

Total 1 buc.570 lei

GOODRAM · StocareDoar pentru firme (B2B)

Memorie RAM Notebook Goodram GR2666S464L19S/8G, 8GB, DDR4, 2666MHz, CL19

SKU: NOD-GR2666S464L19S/8G

Buffered memory type: Unregistered (unbuffered)
Capacitate: 8 GB
CAS latency: 19
Component for: Laptop
DRAM-Kit: No
ECC: No

Prețuri de volum

Pentru 5+ bucăți primești preț negociat — trimite o cerere de ofertă din coș.

570 leiprețuri fără TVA

La comandă·5–7 zile

Cere ofertă pentru volum

Acest produs se poate comanda doar cu cont de firmă verificat. Creează cont B2B →

Retur gratuit 30 de zileFactură fiscală automatăGaranție de producător

BrandGOODRAM

Cod produsNOD-GR2666S464L19S/8G

CategorieStocare

Buffered memory typeUnregistered (unbuffered)

Capacitate8 GB

CAS latency19

Component forLaptop

DRAM-KitNo

ECCNo

Frecventa2666 MHz

Harmonized System (HS) code84733020

Internal memory8 GB

Internal memory typeDDR4

KitNo

Kit dual channelNu

Kit quad channelNu

Latenta17 - 20 CL

Memory clock speed2666 MHz

Memory form factor260-pin SO-DIMM

Memory layout (modules x size)1 x 8 GB

Memory voltage1.2 V

Module configuration1024M x 8

Package typeBlister

Tensiune alimentare1.2 V

TipDDR4 SODIMM

Specificații

Brand	GOODRAM
Cod produs	NOD-GR2666S464L19S/8G
Categorie	Stocare
Garanție	Se confirmă la ofertare
Livrare	5–7 zile
Buffered memory type	Unregistered (unbuffered)
Capacitate	8 GB
CAS latency	19
Component for	Laptop
DRAM-Kit	No
ECC	No
Frecventa	2666 MHz
Harmonized System (HS) code	84733020
Internal memory	8 GB
Internal memory type	DDR4
Kit	No
Kit dual channel	Nu
Kit quad channel	Nu
Latenta	17 - 20 CL
Memory clock speed	2666 MHz
Memory form factor	260-pin SO-DIMM
Memory layout (modules x size)	1 x 8 GB
Memory voltage	1.2 V
Module configuration	1024M x 8
Package type	Blister
Tensiune alimentare	1.2 V
Tip	DDR4 SODIMM